光敏三极管由于其暗电流较大，为使光电流与暗电流之比增大，常在发射极、基极之间
接一电阻(约5kO左右)，对于硅平面光敏三极管由于其暗电流很小(小于10叫A)，一般不各
有基极外接引线，仅有发射极、集电极两根引线。光敏三极管原理、电路和符号见图9—13。
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    (1)光谱特性  光敏管的光谱特性见图9—14。由图可见，当人射光波长增加时，相对灵敏
度要下降，这是因为光子的能量加太小，不足以激发出电子一空穴对。当入射光波长太短时，光
子在半导体表面附近激发的电子一空穴对，不能达到PN结，因此相对光谱灵敏度也下降。
    由图可知材料不同，响应峰值波长不同。因此，应根据光谱特性来确定光源和光电器件
的最佳匹配。
    (2)光照特性  图9—15给出了光敏管的光照特性。它反映了集电极输出电流和照度之
间的关系。
    图9．16光敏管的伏安特性
    (4)温度特性  温度对光敏管暗电流和光电流的影响，见图9．17。暗电流随温度升高
而增大是由于热激发造成的。在高温低照度下工作时，由于温度升高而产生的电流变(七是一
个必须考虑的误差信号，因为它影响测试的精度，为此在电路中应采取适当的温度补偿措
温度特性曲线
    (3)伏安特性  图9．16所示即光敏管的伏安特性，由图可见，光敏二极管输出电流比
同样照度下光敏三极管输出的光电流要小，而且在零偏压时，二极管有光电流输出．